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| 출원 |
출원 번호 |
10-2024-0148218 |
출원 일자 |
20241028 |
| 발명의 명칭 |
EUV 플레어 측정 장치, 측정 방법, 및 측정 시스템, 그리고 이에 사용되는 필터 구조체 |
| 발명자 |
안진호*, 문승찬, 홍준호, 정동민, 석지후, 김원진 |
| 등록국가 |
대한민국 |
| 특허권자 |
한양대학교 산학협력단 |
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| 출원 |
출원 번호 |
PCT/KR2024/015528 |
출원 일자 |
20241014 |
| 발명의 명칭 |
플래토를 방지하는 습식 식각 방법 |
| 발명자 |
안진호*, 박영욱, 김하늘, 김정연, 강영우, 위성주, 김원진 |
| 등록국가 |
PCT |
| 특허권자 |
한양대학교 산학협력단 |
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| 출원 |
출원 번호 |
PCT/KR2024/015530 |
출원 일자 |
20241014 |
| 발명의 명칭 |
언더-컷을 방지하는 습식 식각 방법 및 이에 사용되는 마스크 구조물 |
| 발명자 |
안진호*, 박영욱, 김하늘, 김정연, 강영우, 위성주, 김원진 |
| 등록국가 |
PCT |
| 특허권자 |
한양대학교 산학협력단 |
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| 출원 |
출원 번호 |
18/853,617 |
출원 일자 |
20241002 |
| 발명의 명칭 |
COMPREHENSIVE INSPECTION EQUIPMENT FOR EUV EXPOSURE PROCESS |
| 발명자 |
Jinho AHN*, Dong Gi LEE, Young Woong KIM,
Seungchan MOON, Jin Hyuk CHOI |
| 등록국가 |
미국 |
| 특허권자 |
한양대학교 산학협력단 |
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| 기술이전 |
| 교수명 |
박진성 |
| 구분 |
특허 관련 기술이전 |
| 기술내역 |
수소 확산 방지막을
포함하는 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| 대상기관 |
(주) 아이작리서치 |
| 기술이전 형태 |
양도 |
| 이전일 |
2023.12.27. |
| 계약금액 |
80,000,000원 (부가세 별도) |
| 상세설명 |
ALD로 증착한 수소 확산 방지막을 포함하는 표시 장치 및 그 제조 방법 특허 양도 계약 |
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| 출원 |
출원 번호 |
10-2024-0087714 |
출원 일자 |
20240703 |
| 발명의 명칭 |
SiONC 박막 및 그 제조 방법 |
| 발명자 |
박진성*, 양혜린, 박기범 |
| 등록국가 |
대한민국 |
| 특허권자 |
한양대학교 산학협력단 |
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| 출원 |
출원 번호 |
10-2022-0003696 |
출원 일자 |
20220111 |
| 발명의 명칭 |
질소가 도핑된 절연막 및 그 제조 방법, 그리고 이 절연막이 적용된 트랜지스터 |
| 발명자 |
박진성*, 김동규, 유광수 |
| 등록국가 |
대한민국 |
| 특허권자 |
한양대학교 산학협력단 |
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| 출원 |
출원 번호 |
10-2024-0128627 |
출원 일자 |
20240924 |
| 발명의 명칭 |
건식 식각이 가능한 유무기 하이브리드 박막 및 그 제조 방법 |
| 발명자 |
박진성*, 박창균, 김지민, 박기범, 정효림 |
| 등록국가 |
대한민국 |
| 특허권자 |
한양대학교 산학협력단 |
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| 출원 |
출원 번호 |
10-2022-0150803 |
출원 일자 |
20221111 |
| 발명의 명칭 |
고이동도와 고신뢰성을 갖는 IGZO 박막 및 그 제조 방법, 그리고 이를 포함하는 산화물 반도체 박막 트랜지스터. |
| 발명자 |
박진성*, 김윤서, 오혜진 |
| 등록국가 |
대한민국 |
| 특허권자 |
한양대학교 산학협력단 |
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| 등록 |
등록 번호 |
10-2432185 |
등록 일자 |
20220809 |
| 발명의 명칭 |
분자층 증착막을 이용한 미세 패터닝 방법 개발 |
| 발명자 |
박진성*, 이승환, 백건호 |
| 등록국가 |
대한민국 |
| 특허권자 |
한양대학교 산학협력단 |
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| 등록 |
등록 번호 |
10-2180242 |
등록 일자 |
20201112 |
| 발명의 명칭 |
고유전율 트랜지스터 및 그 제조방법 |
| 발명자 |
박진성*, 최완호, 김민정 |
| 등록국가 |
대한민국 |
| 특허권자 |
한양대학교 산학협력단 |
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| 등록 |
등록 번호 |
10-2368955 |
등록 일자 |
20220224 |
| 발명의 명칭 |
물질막의 선택적 제조 방법 및 금속 패턴의 제조 방법 |
| 발명자 |
박진성*, 김혜미, 이정훈, 이승환, 백건호 |
| 등록국가 |
대한민국 |
| 특허권자 |
한양대학교 산학협력단 |
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| 등록 |
등록 번호 |
10-2386990 |
등록 일자 |
20220125 |
| 발명의 명칭 |
수소확산방지막을 포함하는 소자, 및 그 제조방법 |
| 발명자 |
박진성*, 최완호, 김경록, 정석구 |
| 등록국가 |
대한민국 |
| 특허권자 |
한양대학교 산학협력단 |
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| 등록 |
등록 번호 |
10-2342285 |
등록 일자 |
20211222 |
| 발명의 명칭 |
봉지 구조체 및 그 제조 방법 |
| 발명자 |
박진성*, 한주환, 이성현, 정석구 |
| 등록국가 |
대한민국 |
| 특허권자 |
한양대학교 산학협력단 |
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| 등록 |
등록 번호 |
10-2635426 |
등록 일자 |
20240205 |
| 발명의 명칭 |
C-축 배열 IZO 물질막, 및 그 제조 방법 |
| 발명자 |
박진성*, 홍태현, 김윤서 |
| 등록국가 |
대한민국 |
| 특허권자 |
한양대학교 산학협력단 |
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| 출원 |
출원 번호 |
10-2024-0087250 |
출원 일자 |
20240703 |
| 발명의 명칭 |
분자선 구조를 갖는 다층 분자막 포토레지스트 및 이의 제조방법 |
| 발명자 |
성명모, 안진호*, 박영은, 지현석, 이재혁 |
| 등록국가 |
대한민국 |
| 특허권자 |
한양대학교 산학협력단 |
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| 출원 |
출원 번호 |
10-2024-0086662 |
출원 일자 |
20240702 |
| 발명의 명칭 |
이온주입공정을 활용한 극자외선 노광공정용 마스크의 제조 방법 및 이를 통해 제조된 마스크 |
| 발명자 |
안진호*, 정동민, 김연수, 이승호 |
| 등록국가 |
대한민국 |
| 특허권자 |
한양대학교 산학협력단 |
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| 출원 |
출원 번호 |
10-2024-0086660 |
출원 일자 |
20240702 |
| 발명의 명칭 |
극자외선 리소그래피용 마스크 흡수소재 구조 변경을 통한 성능 제어 기술 |
| 발명자 |
안진호*, 정동민, 김연수, 이승호 |
| 등록국가 |
대한민국 |
| 특허권자 |
한양대학교 산학협력단 |
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| 출원 |
출원 번호 |
10-2024-0086658 |
출원 일자 |
20240702 |
| 발명의 명칭 |
EUV 반사도 및 초점심도 향상을 위한 EUV 노광 공정용 마스크 다층 미러 소재 및 구조 개발 |
| 발명자 |
안진호*, 정동민, 김연수, 이승호 |
| 등록국가 |
대한민국 |
| 특허권자 |
한양대학교 산학협력단 |
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| 출원 |
출원 번호 |
10-2024-0075038 |
출원 일자 |
20240610 |
| 발명의 명칭 |
다공성 펠리클 및 그 제조 방법 |
| 발명자 |
안진호*, 김학성, 김하늘, 김정연, 강영우, 김현수 |
| 등록국가 |
대한민국 |
| 특허권자 |
한양대학교 산학협력단 |
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