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특허

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출원 출원 번호 PCT/KR2023/009387 출원 일자 20240704
발명의 명칭 DRAM 소자의 커패시터 및 그 제조 방법
발명자 안진호*, 박영욱, 박인성, 신왕철, 김선용
등록국가 PCT
특허권자 한양대학교 산학협력단

 

등록 등록 번호 10-2516407 등록 일자 20230328
발명의 명칭 3차원 적층 반도체 소자 및 그 제조 방법
발명자 안진호*, 박인성, 신상휴, 김선용, 이조원
등록국가 대한민국
특허권자 한양대학교 산학협력단

 

출원 출원 번호 10-2024-0198121 출원 일자 20241227
발명의 명칭 3차원 메모리 어레이 및 그 제조 방법{3D MEMORY ARRAY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
발명자 안진호*, 박영욱
등록국가 대한민국
특허권자 한양대학교 산학협력단

 

출원 출원 번호 10-2024-0185753 출원 일자 20241213
발명의 명칭 CNT 펠리클의 수소 라이컬 침투 방지를 위한 다층 코팅막 구조
발명자 안진호*, 강영우, 김하늘, 이인서
등록국가 대한민국
특허권자 한양대학교 산학협력단

 

출원 출원 번호 18/870,489 출원 일자 20241129
발명의 명칭 DEVICE AND METHOD FOR MEASURING REFRACTION COEFFICIENT AND EXTINCTION COEFFICIENT OF EUV MASK MATERIAL
발명자 안진호*, 이동기, 김영웅, 문승찬, 최진혁
등록국가 미국
특허권자 한양대학교 산학협력단

 

출원 출원 번호 18/870,099 출원 일자 20241127
발명의 명칭 EUV MASK INSPECTION APPARATUS AND METHOD THROUGH ILLUMINATION CONTROL
발명자 안진호*, 문승찬, 김영웅, 이동기, 최진혁
등록국가 미국
특허권자 한양대학교 산학협력단

 

출원 출원 번호 10-2024-0019407 출원 일자 20240208
발명의 명칭 가교성 작용기를 갖는 유기단분자를 포함한 분자선 구조의 다층 분자막 포토레지스트 및 그의 제조방법
발명자 안진호*, 지현석, 이재혁, 성명모, 박영은
등록국가 대한민국
특허권자 한양대학교 산학협력단

 

출원 출원 번호 PCT/KR2024/001961 출원 일자 20240208
발명의 명칭 배위결합에 의해 가교가능한 분자선 구조를 갖는 다층 분자막 포토레지스트
발명자 안진호*, 지현석, 이재혁, 성명모, 박영은
등록국가 PCT
특허권자 한양대학교 산학협력단

 

출원 출원 번호 PCT/KR2024/001930 출원 일자 20240208
발명의 명칭 분자선 구조를 갖는 포지티브형의 다층 분자막 포토레지스트
발명자 안진호*, 지현석, 이재혁, 성명모, 박영은
등록국가 PCT
특허권자 한양대학교 산학협력단

 

출원 출원 번호 10-2024-0019933 출원 일자 20240208
발명의 명칭 배위결합에 의해 가교가능한 분자선 구조를 갖는 다층 분자막 포토레지스트
발명자 안진호*, 지현석, 이재혁, 성명모, 박영은
등록국가 대한민국
특허권자 한양대학교 산학협력단

 

출원 출원 번호 10-2024-0019373 출원 일자 20240208
발명의 명칭 분자선 구조를 갖는 포지티브형의 다층 분자막 포토레지스트
발명자 안진호*, 지현석, 이재혁, 성명모, 박영은
등록국가 대한민국
특허권자 한양대학교 산학협력단

 

출원 출원 번호 PCT/KR2024/001924 출원 일자 20240208
발명의 명칭 가교성 작용기를 갖는 유기단분자를 포함한 분자선 구조의 다층 분자막 포토레지스트 및 그의 제조방법
발명자 안진호*, 지현석, 이재혁, 성명모, 박영은
등록국가 PCT
특허권자 한양대학교 산학협력단

 

출원 출원 번호 10-2024-0012979 출원 일자 20240129
발명의 명칭 이온주입공정을 활용한 극자외선 노광공정용 마스크 제작 방법
발명자 안진호*, 김연수, 정동민, 이승호
등록국가 대한민국
특허권자 한양대학교 산학협력단

 

등록 등록 번호 10-2740096 등록 일자 20241204
발명의 명칭 펠리클 홀딩 모듈, 이를 포함하는 펠리클 열적 내구성 평가 장치, 및 펠리클 열적 내구성 평가 방법
발명자 안진호*, 위성주, 장용주
등록국가 대한민국
특허권자 한양대학교 산학협력단

 

출원 출원 번호 10-2025-0088453 출원 일자 20250702
발명의 명칭 EUV 마스크 흡수 패턴의 구조 제어 방법 및 구조 제어 시스템
발명자 안진호*, 정동민, 김연수, 이승호
등록국가 대한민국
특허권자 한양대학교 산학협력단

 

출원 출원 번호 10-2025-0067251 출원 일자 20250523
발명의 명칭 이중 도핑막 구조의 소스 또는 드레인을 포함하는 3차원 메모리 및 그 제조 방법
발명자 안진호*, 박영욱, 정회윤, 박준형, 김성준, 신왕철
등록국가 대한민국
특허권자 한양대학교 산학협력단

 

출원 출원 번호 PCT/KR2025/095230 출원 일자 20250417
발명의 명칭 EUV 마스크 검사 장치 및 검사 방법
발명자 안진호*, 문승찬, 이동기, 홍준호
등록국가 PCT
특허권자 한양대학교 산학협력단

 

출원 출원 번호 PCT/KR2025/095229 출원 일자 20250417
발명의 명칭 EUV 간섭 리소그래피 시스템
발명자 안진호*, 이동기, 문승찬, 홍준호, 김지원
등록국가 PCT
특허권자 한양대학교 산학협력단

 

출원 출원 번호 10-2025-0021662 출원 일자 20250219
발명의 명칭 펠리클 멤브레인 capping layer의 다회 증착을 통한 박막의 내식각 특성 향상 방법 및 그 구조체
발명자 안진호*, 박영욱, 김하늘, 김태환, 강영우, 김원진, 이인서
등록국가 대한민국
특허권자 한양대학교 산학협력단

 

출원 출원 번호 10-2025-0011524 출원 일자 20250124
발명의 명칭 EUV 마스크 검사 정확도 향상 장치 및 향상 방법
발명자 안진호*, 문승찬, 홍준호
등록국가 대한민국
특허권자 한양대학교 산학협력단
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