|
| 등록 |
등록 번호 |
10-2827170 |
등록 일자 |
20250625 |
| 발명의 명칭 |
EUV 노광공정용 종합 검사 장치 및 방법, 그리고 핀홀 모듈 |
| 발명자 |
안진호*, 문승찬, 이동기, 최진혁 |
| 등록국가 |
대한민국 |
| 특허권자 |
한양대학교 산학협력단 |
|
|
| 등록 |
등록 번호 |
10-2827160 |
등록 일자 |
20250625 |
| 발명의 명칭 |
EUV 블랭크 마스크 검사 장치 및 방법 |
| 발명자 |
안진호*, 이동기, 최진혁, 문승찬 |
| 등록국가 |
대한민국 |
| 특허권자 |
한양대학교 산학협력단 |
|
|
| 등록 |
등록 번호 |
10-2773586 |
등록 일자 |
20250221 |
| 발명의 명칭 |
EUV 노광공정용 종합 검사 장치 |
| 발명자 |
안진호*, 이동기, 김영웅, 문승찬, 최진혁 |
| 등록국가 |
대한민국 |
| 특허권자 |
한양대학교 산학협력단 |
|
|
| 등록 |
등록 번호 |
10-2765017 |
등록 일자 |
20250204 |
| 발명의 명칭 |
마스크 검사 장치 및 마스크 검사 방법 |
| 발명자 |
안진호*, 이동기, 김영웅, 문승찬 |
| 등록국가 |
대한민국 |
| 특허권자 |
한양대학교 산학협력단 |
|
|
| 등록 |
등록 번호 |
10-2753493 |
등록 일자 |
20250107 |
| 발명의 명칭 |
다층 커패시터 수평 전극들을 포함하는 3차원 메모리 및 그 제조 방법 |
| 발명자 |
안진호*, 박영욱, 박인성, 신왕철, 김성준 |
| 등록국가 |
대한민국 |
| 특허권자 |
한양대학교 산학협력단 |
|
|
| 등록 |
등록 번호 |
10-2752610 |
등록 일자 |
20250106 |
| 발명의 명칭 |
EUV 마스크 소재의 굴절계수 및 흡광계수 측정 장치 및 방법 |
| 발명자 |
안진호*, 이동기, 김영웅, 문승찬, 최진혁 |
| 등록국가 |
대한민국 |
| 특허권자 |
한양대학교 산학협력단 |
|
|
| 기술이전 |
| 교수명 |
안진호 |
| 구분 |
특허 관련 기술이전 |
| 기술내역 |
감광성 유리를 이용한
EUV 리소그래피용 펠리클 제조방법 외 5건 |
| 대상기관 |
㈜ 그래핀랩 |
| 기술이전 형태 |
양도 |
| 이전일 |
2025.01.23 |
| 계약금액 |
30,000,000 |
| 상세설명 |
감광성 유리를 이용한
EUV 리소그래피용 펠리클 제조방법 외 5건에 대한 기술이전계약 |
|
|
| 기술이전 |
| 교수명 |
안진호 |
| 구분 |
특허 관련 기술이전 |
| 기술내역 |
스페이서 패턴 및
위상변위 패턴을 포함하는 위상변위 마스크 및 그 제조 방법 |
| 대상기관 |
㈜ 에스앤에스텍 |
| 기술이전 형태 |
양도 |
| 이전일 |
2025.01.23. |
| 계약금액 |
50,000,000 |
| 상세설명 |
스페이서 패턴 및 위상변위 패턴을 포함하는 위상변위 마스 크 및 그 제조 방법에 대한 전용실시 기술이전계약 |
|
|
| 기술이전 |
| 교수명 |
안진호 |
| 구분 |
특허 관련 기술이전 |
| 기술내역 |
분자선 구조를 갖는 다층
분자막 포토레지스트 관련 특허권 양수도 및 통상실시권 허여 계약 |
| 대상기관 |
㈜ 삼성전자 |
| 기술이전 형태 |
기술시도 |
| 이전일 |
2024.12.20. |
| 계약금액 |
590,000,000 |
| 상세설명 |
분자선 구조를 갖는 다층 분자막 포토레지스트 및 이의 제조방법 등 총 9건에 대한 특허권 양도 및 실시권 허여
계약서 |
|
|
| 출원 |
출원 번호 |
10-2025-0097696 |
출원 일자 |
20250718 |
| 발명의 명칭 |
반도체 확산 방지막용 코발트 나이트라이드(CoN) 박막의 저온 플라즈마 보강 원자층 증착(PEALD) 방법 |
| 발명자 |
임예빈, 최창환* |
| 등록국가 |
대한민국 |
| 특허권자 |
한양대학교 산학협력단 |
|
|
| 출원 |
출원 번호 |
10-2025-0085314 |
출원 일자 |
20250626 |
| 발명의 명칭 |
반도체 배선용 Mo-Pd 금속 합금을 포함한 전자 소자 구조체 |
| 발명자 |
최창환, 임현진* |
| 등록국가 |
대한민국 |
| 특허권자 |
한양대학교 산학협력단 |
|
|
| 출원 |
출원 번호 |
10-2025-0042904 |
출원 일자 |
20250402 |
| 발명의 명칭 |
반도체 배선용 Co-Si 위상 금속 합금 및 이를 포함하는 전자 소자 구조체 |
| 발명자 |
최창환*, 임현진, 김형준, 문준호, 이기영 |
| 등록국가 |
대한민국 |
| 특허권자 |
한양대학교 산학협력단 |
|
|
| 출원 |
출원 번호 |
10-2025-0004113 |
출원 일자 |
20250110 |
| 발명의 명칭 |
유리 기판과 금속 접착력 개선 공정 |
| 발명자 |
김선범, 한덕규, 최창환* |
| 등록국가 |
대한민국 |
| 특허권자 |
한양대학교 산학협력단 |
|
|
| 출원 |
출원 번호 |
10-2024-0180587 |
출원 일자 |
20241206 |
| 발명의 명칭 |
HfO2 gate insulator에 CF4 plasma 처리를 진행한 a-IGZO 채널 기반의 TFT 소자ZO
강유전체 전계 효과 트랜지스터 기반 아날로그 시냅스 소자 |
| 발명자 |
김규리, 최창환* |
| 등록국가 |
대한민국 |
| 특허권자 |
한양대학교 산학협력단 |
|
|
| 출원 |
출원 번호 |
10-2024-0180588 |
출원 일자 |
20241206 |
| 발명의 명칭 |
겹층 구조와 플라즈마 처리 동시 적용을 통해 메모리 범위와 신뢰성을 향상시킨 HZO 강유전체 전계 효과 트랜지스터
기반 아날로그 시냅스 소자 |
| 발명자 |
박경수, 최창환* |
| 등록국가 |
대한민국 |
| 특허권자 |
한양대학교 산학협력단 |
|
|
| 출원 |
출원 번호 |
10-2024-0143585 |
출원 일자 |
20241021 |
| 발명의 명칭 |
HZO 씨드층을 사용해 강유전층의 결정립크기를 제어한 HZO 시냅스 강유전체 전계효과 트랜지스터 |
| 발명자 |
박준혁, 최창환* |
| 등록국가 |
대한민국 |
| 특허권자 |
한양대학교 산학협력단 |
|
|
| 출원 |
출원 번호 |
10-2024-0127355 |
출원 일자 |
20240920 |
| 발명의 명칭 |
비대칭 일함수 금속을 사용한 ZrO2 시냅스 MFMIS 강유전체 박막 트랜지스터 |
| 발명자 |
윤승현, 최창환* |
| 등록국가 |
대한민국 |
| 특허권자 |
한양대학교 산학협력단 |
|
|
| 출원 |
출원 번호 |
10-2024-0019141 |
출원 일자 |
20240207 |
| 발명의 명칭 |
반도체 배선용 Co-Pd 합금 및 이를 포함하는 전자소자 |
| 발명자 |
김형준, 최창환* |
| 등록국가 |
대한민국 |
| 특허권자 |
삼성전자(주), 한양대학교 산학협력단 |
|
|
| 출원 |
출원 번호 |
10-2024-0136477 |
출원 일자 |
20241008 |
| 발명의 명칭 |
이종 양이온 및 음이온성 유기 분자를 갖는 페로브스카이트 결정, 이를 포함하는 박막의 제조방법 및 상기 박막을
포함하는 전자 소자 |
| 발명자 |
한태희* |
| 등록국가 |
대한민국 |
| 특허권자 |
한양대학교 산학협력단 |
|
|
| 출원 |
출원 번호 |
10-2024-0148218 |
출원 일자 |
20241028 |
| 발명의 명칭 |
EUV 플레어 측정 장치, 측정 방법, 및 측정 시스템, 그리고 이에 사용되는 필터 구조체 |
| 발명자 |
안진호*, 문승찬, 홍준호, 정동민, 석지후, 김원진 |
| 등록국가 |
대한민국 |
| 특허권자 |
한양대학교 산학협력단 |
|
